Fujitsu anuncia avances en ReRAM (RAM Resistiva)

ReRAM es un tipo de memoria no volátil (no se borra al cortarle el suministro de energía) que tiene muy poco consumo eléctrico.

ReRAM está siendo desarrollada por Fujitsu y se basa en materiales que cambian su resistencia cuando se les aplica un voltaje. ReRAM puede ser fabricada en tamaños muy pequeños y por un costo bajo lo que la hace un buen candidato a ser adoptada en el futuro como una tecnología de memoria a escala masiva.

El último avance de Fujitsu es agregarle titanio a una capa de óxido de nickel para y limitar la corriente de los transistores para disminuir la energía necesaria para borrar un bit. Ésto disminuye la velocidad de operación a 5ns lo que la hace 10.000 veces más rápida que antes.

Fujitsu espera poder usar a ReRAM como un reemplazo para memoria Flash a partir del 2010.
La tecnología ReRAM compite con PRAM (Phase Change RAM) y MRAM (Magnetoresistive RAM) para dominar el futuro mercado de las memorias.

Se espera que la memoria Flash actual tenga problemas para reducir más los tamaños de manufactura lo que va a requerir de un cambio de tecnología para aumentar la capacidad de almacenamiento que se requiere cada vez más.

Vía TGdaily