Utilizando una estrutctura de transistor vertical, a diferencia de los usados actualmente que están construidos horizontalmente en un plano, se llegará a una frecuencia de trabajo de más de 10 veces el máximo posible en un CPU de AMD o Intel.
El proyecto alcanza más credibilidad cuando vemos que el encargado del mismo es Fujio Masuoka, el inventor de la memoria Flash.
La estructura 3D del transistor implica que los electrones tienen menos distancia que viajar lo que se traduciría en ventajas de costo de producción así como calor emitido.
El SGT permite refinaciones del modelo en el futuro por lo que extiende la ley de Moore por otros 30 años hasta alcanzar límites físicos.
Vía: ArsTecnica | The Register
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